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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB083N10N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB083N10N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB083N10N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3,5V a 75µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3980 pF @ 50 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
8,3mohm a 73A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (16)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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