Name: IRF8010STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010STRLPBFTR-ND
Price: 3.4404 EUR
Availability: InStock

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IRF8010STRLPBF
Codice DigiKey	IRF8010STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF8010STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF8010STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF8010STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF8010STRLPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3830 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	260W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF8010

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 0,95215	€ 761,72
1 600	€ 0,88821	€ 1 421,14

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,44040

IRF8010STRLPBF