BUK768R1-100E,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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BUK768R1-100E,118
Codice DigiKey	1727-1062-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1062-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK768R1-100E,118
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BUK768R1-100E,118 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 108 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7380 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 8,1mohm a 25A, 10V	Codice componente base BUK768
Vgs(th) max a Id 4V a 1mA

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Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDB3632	onsemi	5 600	FDB3632CT-ND	€ 3,79000	Simile
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	2 421	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	€ 3,02000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,16020

BUK768R1-100E,118