Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	125 961 In magazzino	1 : € 0,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03934 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	6 296 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05549 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	160 662 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06096 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	96 619 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06110 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58 532 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06051 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	138 393 In magazzino	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06475 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210 611 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07450 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25 930 In magazzino 12 000 Fabbrica	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07659 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,07A, 845mA	450mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	28 246 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07746 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732 002 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06674 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95 552 In magazzino 1 557 000 Fabbrica	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08321 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64 240 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08490 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63 232 In magazzino 744 000 Fabbrica	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08421 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3 491 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,07389 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	407 771 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,09237 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	78 028 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09685 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	36 821 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09669 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 660 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09781 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	400mA, 200mA	700mohm a 200mA, 10V	1,8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Diodes Incorporated	27 306 In magazzino 37 407 000 Fabbrica	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09892 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	1,33A	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	36pF a 16V	530mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	41 620 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,09748 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	-	20V	430mA	900mohm a 430mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	175pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	74 914 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,09857 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	800mA	380mohm a 500mA, 4,5V	950mV a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	46 624 In magazzino	1 : € 0,48000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10651 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	35 468 In magazzino	1 : € 0,48000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10510 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	610mA (Ta)	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	14 601 In magazzino	1 : € 0,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10929 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Complementare canale N e P	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mohm a 3,5A, 10V, 95mohm a 3,8A, 10V	2,5V a 250µA	4,5nC a 10V, 6,5nC a 10V	190pF a 15V, 254pF a 15V	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	56 154 In magazzino	1 : € 0,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,11012 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	540mA, 430mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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