Array FET, MOSFET

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Produttore
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Confezionamento
Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tecnologia
-Carburo di silicio (SiC)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiCFET (carburo di silicio)
Configurazione
2 a canale N e 2 a canale P2 a canale P (semiponte)2 canale N2 canale N (doppio), canale P2 canale N (stadio di fase)2 canale N, drain comune2 canale P2 canali N (doppio chopper in discesa)2 canali N (doppio)2 canali N (doppio), schottky2 canali N (semiponte)2 canali N, sorgente comune (semiponte)
Funzione FET
-Carburo di silicio (SiC)Gate livello logico, comando 0,9VGate livello logico, comando 1,2VGate livello logico, comando 1,5VGate livello logico, comando 1,8VGate livello logico, comando 10VGate livello logico, comando 2,5VGate livello logico, comando 4,5VGate livello logico, comando 4VGate livello logico, comando 5VModalità di svuotamentoPorta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
0,46mohm a 160A, 12V0,762mohm a 160A, 12V0,765mohm a 160A, 12V, 0,580mohm a 160A, 12V0,765mohm a 160A, 12V, 0,710mohm a 160A, 12V0,8mohm a 1200A, 10V0,88mohm a 50A, 10V0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V0,95mohm a 30A, 10V0,95mohm a 8A, 4,5V0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,15mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45 pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potenza - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN piazzola esposta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Contenitore del fornitore
4 FlipChip4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tecnologia
Configurazione
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
425 966
In magazzino
1 : € 0,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03852
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
60V
300mA
1,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
40pF a 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
749 926
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05333
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 1,2V
50V
200mA
2,2ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
349 992
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05451
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 0,9V
50V
200mA
2,2ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241 855
In magazzino
392 500
Fabbrica
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,07344
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali P (doppio)
Porta a livello logico
30V
3,9A
70mohm a 5,3A, 10V
3V a 250µA
11nC a 10V
563pF a 25V
1,1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147 188
In magazzino
66 000
Fabbrica
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,11015
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
540mA
550mohm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
-
150pF a 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 146
In magazzino
1 : € 0,28000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,11190
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale P e N, drain comune
Porta a livello logico
30V
6 A, 5,5 A
30mohm a 6A, 10V
2,4V a 250µA
6,3nC a 10V
310pF a 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
21 039
In magazzino
1 : € 0,29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05954
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
320mA
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q100
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
213 297
In magazzino
1 : € 0,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06339
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
29 723
In magazzino
1 : € 0,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,05924
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Gate livello logico, comando 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
133 925
In magazzino
1 : € 0,31000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05570
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
60V
230mA
7,5ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
63 822
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08844
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
610mA (Ta)
396mohm a 500mA, 4,5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
114 365
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08991
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
30V
250mA
1,5ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
1,3nC a 5V
33pF a 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
74 435
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,06908
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
20V
500mA, 330mA
630mohm a 200mA, 5V
1V a 1mA
1,23nC a 4V
46pF a 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
38 268
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09153
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
950mA
350mohm a 950mA, 4,5V
1,2V a 1,6µA
0,32nC a 4,5V
63pF a 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
129 905
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10374
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
30V
7 A (Ta)
20mohm a 7A, 10V
2,3V a 250µA
20nC a 10V
600pF a 15V
1,7W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
104 622
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,08896
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Complementare canale N e P
Porta a livello logico
20V
600mA, 500mA
620mohm a 600mA, 4,5V
950mV a 250µA
0,7nC a 4,5V
21,3pF a 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-XFDFN piazzola esposta
DFN1010B-6
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
88 102
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,13988
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
485mA
700mohm a 600mA, 4,5V
900mV a 250µA
0,75nC a 4,5V
-
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
434 449
In magazzino
1 200 000
Fabbrica
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09768
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
60V
500mA, 360mA
1,7ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,3nC a 4,5V
30pF a 25V, 25pF a 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153 504
In magazzino
2 382 000
Fabbrica
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06507
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
20V
1,03A, 700 mA
480mohm a 200mA, 5V
900mV a 250µA
0,5nC a 4,5V
37,1pF a 10V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
81 311
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,09846
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
20V
540mA, 430mA
550mohm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
150pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
59 916
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09768
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
60V
280mA
7,5ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
50pF a 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31 586
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,09364
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
30V
590mA
670mohm a 590mA, 4,5V
950mV a 250µA
1,05nC a 4,5V
30,3pF a 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-XFDFN piazzola esposta
DFN1010B-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
334 165
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06792
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
320mA
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
17 980
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10052
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canale N
-
30V
5A
32mohm a 5,8A, 10V
1,5V a 250µA
-
1155pF a 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-VDFN piazzola esposta
DFN2020-6L
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
250 289
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06905
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
300mA (Ta)
1,6ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
50pF a 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Visualizzati
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Array FET, MOSFET


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.