Array FET, MOSFET

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Produttore
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Confezionamento
Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tecnologia
-Carburo di silicio (SiC)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiCFET (carburo di silicio)
Configurazione
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)2 a canale N e 2 a canale P2 a canale P (semiponte)2 canale N (doppio), canale P2 canale N (stadio di fase)2 canale N2 canale N, drain comune2 canale P2 canali N (doppio chopper in discesa)2 canali N (doppio)2 canali N (doppio), schottky2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-Carburo di silicio (SiC)Gate livello logico, comando 0,9VGate livello logico, comando 1,2VGate livello logico, comando 1,5VGate livello logico, comando 1,8VGate livello logico, comando 10VGate livello logico, comando 2,5VGate livello logico, comando 4,5VGate livello logico, comando 4VGate livello logico, comando 5VModalità di svuotamentoPorta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
0,46mohm a 160A, 12V0,762mohm a 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0,8mohm a 1200A, 10V0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V0.88mOhm @ 50A, 10V0,95mohm a 30A, 10V0,95mohm a 8A, 4,5V0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,2mohm a 800A, 10V
Vgs(th) max a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45 pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potenza - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN piazzola esposta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Contenitore del fornitore
4 FlipChip4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tecnologia
Configurazione
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
379 331
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05398
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
176 485
In magazzino
1 : € 0,31000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05685
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V230mA7,5ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259 137
In magazzino
135 000
Fabbrica
1 : € 0,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09696
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V540mA, 430mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA-150pF a 16V250mW-65°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 822
In magazzino
1 : € 0,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08758
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V610mA (Ta)396mohm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
59 748
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08903
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-30V250mA1,5ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28 569
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05959
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q100A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360 100
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06136
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,5V20V250mA (Ta)2,2ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°C--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 507
In magazzino
10 000
Fabbrica
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,09195
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali P (doppio)Porta a livello logico30V3,9A70mohm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100 212
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
8 000 : € 0,07508
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 437
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07896
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico30V3,8 A, 2,5 A55mohm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30 074
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,09750
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V540mA, 430mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
170 629
In magazzino
2 676 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06641
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V1,03A, 700 mA480mohm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65 925
In magazzino
342 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09969
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V280mA7,5ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-50pF a 25V150mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51 992
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09954
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canale N-30V5A32mohm a 5,8A, 10V1,5V a 250µA-1155pF a 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-VDFN piazzola espostaDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29 681
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,12381
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V370mA1,4ohm a 340mA, 10V2,5V a 250µA1,4nC a 10V18,5pF a 30V510mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25 936
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,12573
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-30V6,2A30mohm a 5,8A, 10V2V a 250µA10,6nC a 10V500pF a 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-UDFN piazzola espostaU-DFN2020-6 (tipo B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104 829
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06821
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA3ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68 917
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,06858
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V100mA4ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA-8,5pF a 3V150mW150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
65 887
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06758
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali P (doppio)Porta a livello logico50V160mA7,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 894
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10217
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico30V700mA, 500mA388mohm a 600mA, 10V2,5V a 250µA1,5nC a 10V28pF a 15V340mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348 978
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06932
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 410
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07047
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA (Ta)1,6ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173 200
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,13206
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale P e N, drain comunePorta a livello logico30V6 A, 5,5 A30mohm a 6A, 10V2,4V a 250µA6,3nC a 10V310pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
107 765
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,12986
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico50V510mA2ohm a 510mA, 10V2,5V a 250µA1nC a 10V20pF a 25V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
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Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V860mA350mohm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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Array FET, MOSFET


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.