Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	63 557 In magazzino	1 : € 0,18000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03502 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	33 846 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05086 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	119 481 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05732 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	87 886 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05176 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	71 724 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,04125 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	26 253 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05934 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	64 999 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,05802 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	500mA, 330mA	630mohm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1,23nC a 4V	46pF a 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	326 540 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06207 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 320m A, 10V	1,6V a 250µA	0,7nC a 4,5V	56pF a 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	56 160 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07623 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	42 481 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07098 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	677 122 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06473 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	36 059 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06380 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	46 931 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11633 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	23 448 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06287 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	33 205 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08430 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	610mA (Ta)	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	85 058 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08497 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	260mohm a 880mA, 4,5V	1,2V a 250µA	2,2nC a 4,5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	63 298 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07201 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	20V	5A, 4A	38mohm a 4,5A, 4,5V, 90mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	11nC a 4,5V, 12nC a 2,5V	800pF, 405pF a 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6L
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	0 In magazzino Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08861 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	376 646 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07001 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	24 178 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08505 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	6 064 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08788 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	5A	32mohm a 5,8A, 10V	1,5V a 250µA	-	1155pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VDFN piazzola esposta	DFN2020-6L
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	53 604 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07582 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	400mA, 200mA	700mohm a 200mA, 10V	1,8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
BSS138DWQ-7 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Diodes Incorporated	25 162 In magazzino 1 329 000 Fabbrica	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08964 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	50V	200mA	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	-	50pF a 10V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29 486 In magazzino	1 : € 0,43000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,17936 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	3,7A	58mohm a 3,4A, 10V	2,2V a 250µA	6nC a 10V	235pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-TSOP
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 In magazzino Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,10092 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	540mA, 430mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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