Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	42 832 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04830 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	197 543 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04916 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 514 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05762 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	-	2 canali N (doppio)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,5nC a 4,5V	34pF a 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSS138PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 497 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05455 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 300mA, 10V	1,5V a 250µA	0,8nC a 4,5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	49 075 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,05913 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	524 428 In magazzino	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06698 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	350mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	75 777 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06766 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	350mA, 200mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	5 964 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06185 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	-	20V	430mA	900mohm a 430mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	175pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 In magazzino 681 338 Marketplace Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06393 Nastrato in bobina (TR) 3 566 : € 0,06799 Sfuso	-	Nastrato in bobina (TR) Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® Sfuso	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	92 487 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07127 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	390mA	1,2ohm a 390mA, 4,5V	1,2V a 1,5µA	0,62nC a 4,5V	56pF a 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	1 295 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06895 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	500mA, 330mA	630mohm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1,23nC a 4V	46pF a 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS84AKV,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Nexperia USA Inc.	23 500 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07088 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	170mA	7,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,35nC a 5V	36pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	563 850 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07907 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	917 194 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07508 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	233 618 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07823 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,5ohm a 100mA, 10V	1,5V a 250µA	0,44nC a 4,5V	13pF a 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	155 282 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08047 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	86 913 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,07004 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	86 343 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07626 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	28 786 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07469 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	260mohm a 880mA, 4,5V	1,2V a 250µA	2,2nC a 4,5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	15 094 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07521 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	2 725 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08229 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™ 2	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	950mA	350mohm a 950mA, 4,5V	1,2V a 1,6µA	0,32nC a 4,5V	63pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	53 084 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07885 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NX3008CBKV,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666 Nexperia USA Inc.	2 418 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,08078 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	400mA, 220mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	68 000 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,08583 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	800mA	380mohm a 500mA, 4,5V	950mV a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMGD290UCEAX MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	10 245 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08837 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	725mA, 500mA	380mohm a 500mA, 4,5V	1,3V a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	280mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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