IXFA130N10T è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,46853
Scheda tecnica

Diretto


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,35000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 4 084
Prezzo unitario : € 3,38000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,10741
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 680
Prezzo unitario : € 2,14000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,03000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 2 421
Prezzo unitario : € 2,99000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 6,84000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 267
Prezzo unitario : € 3,73000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 088
Prezzo unitario : € 2,78000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 5 155
Prezzo unitario : € 4,97000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 101
Prezzo unitario : € 5,32000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 4 533
Prezzo unitario : € 2,17000
Scheda tecnica
Canale N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA (IXFA)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IXFA130N10T

Codice DigiKey
IXFA130N10T-ND
Produttore
Codice produttore
IXFA130N10T
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA (IXFA)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
104 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5080 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Contenitore del fornitore
TO-263AA (IXFA)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
9,1mohm a 25A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (15)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SQM120N10-09_GE3Vishay Siliconix0SQM120N10-09_GE3-ND€ 1,46853Diretto
SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix0SQM120P10_10M1LGE3CT-ND€ 4,35000Diretto
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.4 0841727-1062-1-ND€ 3,38000Simile
BUK969R3-100E,118Nexperia USA Inc.01727-1064-2-ND€ 1,10741Simile
DMTH10H010LCTB-13Diodes Incorporated68031-DMTH10H010LCTB-13CT-ND€ 2,14000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
300€ 2,68927€ 806,78
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,68927
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,28091