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Canale N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
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IXTA130N10T-TRL

Codice DigiKey
IXTA130N10T-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXTA130N10T-TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
IXYS
Serie
Trench
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
130 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,1mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5080 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263AA
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IXTA130
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 2,04956€ 1 639,65
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,04956
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,50046