FET, MOSFET singoli

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Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Confezionamento
BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tipo FET
-Canale NCanale P
Tecnologia
-GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)SiCFET (carburo di silicio)SiCFET (SiCJFET cascode)
Tensione drain/source (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs
0,29mohm a 50A, 10V0,3mohm a 200A, 10V0,35mohm a 50A, 10V0,4mohm a 150A, 10V0,4mohm a 30A, 10V0.4 mohm a 50A, 10V0,42mohm a 50A, 10V0,44mohm a 88A, 10V0,45mohm a 30A, 10V0,45mohm a 50A, 10V0,45mohm a 60A, 4,5V0.45mOhm @ 30A, 7V
Vgs(th) max a Id
400mV a 1mA (min)400mV a 250µA400mV a 250µA (min)450mV a 100µA (min)450mV a 1mA (min)450mV a 250µA (min)450mV a 2mA (min)500mV a 250µA (min)570mV a 1mA (tip.)600mV a 1,2mA (min)600mV a 1mA (min)600mV a 1mA (tip.)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Funzione FET
-Diodo di rilevamento temperaturaDiodo Schottky (body)Diodo Schottky (isolato)Modalità di svuotamentoRilevamento della corrente
Dissipazione di potenza (max)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Contenitore/involucro
2-DFN piazzola esposta3-DFN piazzola esposta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conduttori piatti3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, conduttori piatti3-SMD, non standard
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
61 102
In magazzino
1 : € 0,14000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02507
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
122 089
In magazzino
1 : € 0,16000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02820
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
509 716
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03099
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
424 621
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03172
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
47 988
In magazzino
1 503 000
Fabbrica
1 : € 0,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03302
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
82 019
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03407
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 277
In magazzino
2 103 000
Fabbrica
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03407
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 458 766
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03553
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
671 666
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03574
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale P
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
458 810
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03699
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
100 919
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02808
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 195 056
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02958
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
610 911
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04116
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
30 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
160mohm a 1,4A, 10V
2V a 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
477 475
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03741
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
464 810
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03843
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
441 775
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03845
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale P
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
78 003
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03741
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohm a 240mA, 10V
2,6V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 904 911
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04245
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mohm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
824 106
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03927
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
762 757
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07022
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mohm a 6,5A, 4,5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
3-SMD, Variante SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
748 385
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03971
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
433 804
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07022
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
1,05 A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mohm a 600mA, 4,5V
570mV a 1mA (tip.)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
560 139
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06545
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mohm a 6,5A, 4,5V
900mV a 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
340 230
In magazzino
84 000
Fabbrica
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06902
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
4,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohm a 3,6A, 4,5V
1V a 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40 698
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,03103
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8ohm a 200mA, 10V
2,1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350W (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-883
SC-101, SOT-883
Visualizzati
di 41 573

FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.