FET, MOSFET singoli

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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
479 408
In magazzino
1 : € 0,09000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02728
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
562 896
In magazzino
1 : € 0,12000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02166
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
272 487
In magazzino
1 : € 0,12000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02367
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
242 074
In magazzino
1 : € 0,12000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,01976
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
128 606
In magazzino
1 : € 0,13000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03199
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2 367
In magazzino
1 : € 0,13000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,01788
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
415 053
In magazzino
4 845 000
Fabbrica
1 : € 0,14000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02823
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
574 978
In magazzino
1 : € 0,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02728
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
297 820
In magazzino
1 : € 0,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02728
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84Q-13-F
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Diodes Incorporated
27 213
In magazzino
1 710 000
Fabbrica
1 : € 0,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02034
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale P
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
0.59 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 065 833
In magazzino
1 : € 0,16000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02352
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
In magazzino
Verifica i tempi di consegna
1 : € 0,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
30 000 : € 0,02712
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
156 767
In magazzino
1 : € 0,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02917
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
95 508
In magazzino
1 : € 0,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03481
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-323
SC-70, SOT-323
44 678
In magazzino
1 : € 0,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03199
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohm a 220mA, 10V
1,5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
212 750
In magazzino
3 120 000
Fabbrica
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03196
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale P
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
460mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mohm a 350mA, 4,5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
203 156
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03293
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
519 019
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02258
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TL431BFDT-QR
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
419 867
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02034
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale P
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
290 100
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03669
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
213 663
In magazzino
66 000
Fabbrica
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02597
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
133 340
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02540
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
33 227
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03387
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
360mA (Ta)
5V, 10V
2ohm a 270mA, 10V
1,5V a 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
469 269
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,19038
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
630mA (Ta)
1,8V, 4,5V
400mohm a 600mA, 4,5V
1V a 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-523
SOT-523
TL431BFDT-QR
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
306 077
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02455
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
300mA (Tc)
10V
5ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Visualizzati
di 43 256

FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.