FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro

2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Micro Commercial Co	47 918 In magazzino	1 : € 0,16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,02851 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8LW-13 MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Diodes Incorporated	36 026 In magazzino 1 850 000 Fabbrica	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02909 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	380mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm a 250mA, 10V	1,5V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	118 944 In magazzino	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02925 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	CST3	SC-101, SOT-883
2N7002P,235 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 396 960 In magazzino	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02990 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	84 044 In magazzino	1 : € 0,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03195 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	820 292 In magazzino	1 : € 0,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03207 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm a 50mA, 5V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	79 648 In magazzino	1 : € 0,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03444 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1 620 336 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03592 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohm a 100mA, 2,5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS84AK,215 MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Nexperia USA Inc.	793 706 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03613 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	180mA (Ta)	10V	7,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	572 525 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03739 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm a 240mA, 10V	2,5V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	237 060 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,03739 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSIII	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1ohm a 150mA, 4,5V	1V a 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	CST3C	SC-101, SOT-883
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	504 669 In magazzino 102 000 Fabbrica	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03782 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm a 250mA, 10V	1,5V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR5103NT1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	96 450 In magazzino	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03782 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm a 240mA, 10V	2,6V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	±30V	40 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	426 633 In magazzino 510 000 Fabbrica	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,03835 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	310mA (Ta)	10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	0.95 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 251 281 In magazzino	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03887 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	360 326 In magazzino 7 008 000 Fabbrica	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03887 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	925 431 In magazzino	1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03970 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 300mA, 10V	1,5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	886 434 In magazzino	1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04014 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	UMT3F	SC-85
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	558 816 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04225 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohm a 170mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	404 750 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04268 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 003 548 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04287 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	945 869 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04500 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	2ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	814 217 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04498 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	300mA (Tc)	10V	5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	-	±30V	50 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Vishay Siliconix	361 090 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04500 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	2ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	1 144 262 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04500 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohm a 300mA, 10V	1,5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323

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I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

FET, MOSFET singoli

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