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Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
47 918
In magazzino
1 : € 0,16000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02851
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
36 026
In magazzino
1 850 000
Fabbrica
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02909
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-323SC-70, SOT-323
118 944
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02925
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeCST3SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 396 960
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02990
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
84 044
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03195
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
820 292
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03207
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
79 648
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03444
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6ohm a 500mA, 10V2,3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 620 336
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03592
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2ohm a 100mA, 2,5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--A montaggio superficialeEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
793 706
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03613
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale PMOSFET (ossido di metallo)50 V180mA (Ta)10V7,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
572 525
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03739
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohm a 240mA, 10V2,5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
237 060
In magazzino
1 : € 0,29000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,03739
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1ohm a 150mA, 4,5V1V a 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)--A montaggio superficialeCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
504 669
In magazzino
102 000
Fabbrica
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03782
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
96 450
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03782
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohm a 240mA, 10V2,6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
426 633
In magazzino
510 000
Fabbrica
1 : € 0,29000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,03835
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V310mA (Ta)10V3,5ohm a 220mA, 10V1,5V a 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 251 281
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03887
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q100A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
360 326
In magazzino
7 008 000
Fabbrica
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03887
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale PMOSFET (ossido di metallo)50 V130mA (Ta)5V10ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
925 431
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03970
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
886 434
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04014
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--A montaggio superficialeUMT3FSC-85
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
558 816
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04225
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)100 V170mA (Ta)10V6ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
404 750
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04268
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 003 548
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04287
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V350mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
945 869
In magazzino
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04500
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
814 217
In magazzino
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04498
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V300mA (Tc)10V5ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
361 090
In magazzino
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04500
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 144 262
In magazzino
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04500
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V320mA (Ta)10V1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeSOT-323SC-70, SOT-323
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FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.