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BUK969R3-100E,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-1064-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK969R3-100E,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 94.3 nC @ 5 V |
Produttore | Vgs (max) ±10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11650 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,9mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA |
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Sostituti (15)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | 680 | 31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND | € 2,16000 | Simile |
| FDB3632 | onsemi | 5 600 | FDB3632CT-ND | € 3,79000 | Simile |
| FDB3632-F085 | onsemi | 0 | FDB3632-F085TR-ND | € 0,00000 | Simile |
| FDI3632 | onsemi | 0 | FDI3632FS-ND | € 0,00000 | Simile |
| IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB083N10N3GATMA1CT-ND | € 0,00000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 800 | € 1,11628 | € 5 358,14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,11628 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,36186 |
