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Canale N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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BUK969R3-100E,118

Codice DigiKey
1727-1064-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
BUK969R3-100E,118
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
TrenchMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,9mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
94.3 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11650 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
BUK969
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 800€ 0,88022€ 4 225,06
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,88022
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,07387