Transistor

95 222 Risultati
Filtri
+ Più filtri
Categorie
Transistor Categorie
Bipolare (BJT)

Bipolare (BJT)

32 394 Articoli

FET, MOSFET

FET, MOSFET

53 867 Articoli

IGBT

IGBT

7 704 Articoli

JFET

JFET

1 033 Articoli

Unigiunzione programmabile

Unigiunzione programmabile

30 Articoli

Uso speciale

Uso speciale

194 Articoli

Contenuto correlato
Come utilizzare i MOSFET SiC di terza generazione in progetti di potenza per prestazioni ed efficienza più elevate
I MOSFET al carburo di silicio offrono molteplici vantaggi rispetto ai dispositivi al solo silicio; i dispositivi di terza generazione superano le carenze dei prodotti precedenti.
Maggiori informazioni
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti
L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Maggiori informazioni
Come integrare gli stadi di potenza GaN per sistemi di propulsione di motori BLDC efficienti alimentati a batteria
Utilizzando chip e kit, i progettisti possono implementare rapidamente un comando di motori BLDC basato su GaN per il funzionamento efficiente di applicazioni alimentate a batteria.
Maggiori informazioni
Serie popolari
Image of Toshiba logo
MOSFET di potenza a canale N AEC-Q in contenitore L-TOGL
Image of Toshiba's AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package
I MOSFET di potenza a canale N AEC-Q di Toshiba in contenitore L-TOGL raggiungono una bassissima resistenza nello stato On, un'alta corrente di drain e un'alta dissipazione del calore.
Image of Linear Integrated Systems' Logo
JFET a canale N serie LSK489
Image of Linear Integrated Systems' LSK489 Series N-Channel JFET
Il JFET LSK489 a bassissimo rumore di Linear Systems è il doppio JFET a canale N monolitico a bassissimo rumore dalla capacità di ingresso più bassa del settore.
Image of EPC Logo
FET GaN da 80 V qualificato per automotive EPC2252
Image of EPC's EPC2252 Automotive Qualified 80 V GaN FET
Il transistor di potenza in modalità potenziata qualificato per automotive EPC2252 eroga una corrente impulsiva di 75 A in un ingombro compatto di 1,5 x 1,5 mm.
Image of STMicroelectronics color logo
MOSFET STPOWER MDmesh™ serie K6
K6 Series STPOWER MOSFET MDmesh - STMicroelectronics
Il MOSFET STPOWER MDmesh™ a canale N in contenitore TO-220 serie K6 di STMicroelectronics è caratterizzato dalla tecnologia K6 basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics.
Produttori in evidenza
Image of onsemi logo
Image of Infineon Technology Logo
Image of Nexperia Logo
Image of ROHM Semiconductor logo
Image of Diodes' Logo
Vishay

Transistor

I transistor sono dispositivi a semiconduttore discreti utilizzati per commutare o amplificare i segnali elettrici. I tipi di transistor includono bipolari (BJT), RF, bipolari pre-polarizzati (BJT), FET, MOSFET, IGBT, JFET, programmabili e altri.