JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	15 278 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08309 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	46 886 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07391 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4392LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	43 335 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10016 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	25 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	14pF a 15V	60 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFU310LT1G JFET N-CH 25V SOT23-3 onsemi	35 045 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08752 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	24 mA @ 10 V	-	2.5 V @ 1 nA	5pF a 10V (VGS)	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	64 265 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07682 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF5103 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	14 400 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08849 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	29 758 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15309 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	30 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	14pF a 15V (VGS)	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	21 829 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,07877 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ201 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	53 101 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09336 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	200 µA @ 20 V	-	300 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	57 684 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09210 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ111 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	25 369 In magazzino	1 : € 0,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09336 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK209-BL(TE85L,F) JFET N-CH 50V 14MA SC59 Toshiba Semiconductor and Storage	58 658 In magazzino	1 : € 0,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15230 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	14 mA @ 10 V	14 mA	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	150 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
MMBF5457 JFET N-CH 25V SOT23-3 onsemi	19 879 In magazzino 42 000 Fabbrica	1 : € 0,53000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11086 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	-	1 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	7pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	29 533 In magazzino	1 : € 0,55000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12156 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF a 10V	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ108 JFET N-CH 25V SOT23-3 onsemi	12 495 In magazzino	1 : € 0,55000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14976 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	-	80 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	8 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	5 782 In magazzino	1 : € 0,55000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15044 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-7-TB-E JFET N-CH 5V 3CP onsemi	18 789 In magazzino	1 : € 0,58000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13809 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	32 mA @ 5 V	50 mA	1.5 V @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
MMBFJ176 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	27 643 In magazzino	1 : € 0,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14415 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	1 V @ 10 nA	-	250 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
NSVJ3557SA3T1G JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3 onsemi	22 405 In magazzino	1 : € 0,68000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,17699 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	300 mV @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59-3/CP3
NSVJ3910SB3T1G JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	6 914 In magazzino 774 000 Fabbrica	1 : € 0,88000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,21005 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF a 5V	-	400 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	3 019 In magazzino	1 : € 3,91000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 2,12956 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
2N4858A JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	817 In magazzino	1 : € 5,38000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF a 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
UJ3N065080K3S JFET N-CH 650V 32A TO247-3 onsemi	628 In magazzino	1 : € 7,65000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 onsemi	7 033 In magazzino	1 : € 8,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 4,88428 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N120065K3S JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3 onsemi	1 996 In magazzino	1 : € 15,90000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	5 µA @ 1200 V	34 A	-	1008pF a 100V	55 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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