JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	0 In magazzino 282 000 Marketplace Verifica i tempi di consegna	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08221 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	45 718 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09572 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	137 835 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,08449 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ201 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	48 754 In magazzino	1 : € 0,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10216 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	200 µA @ 20 V	-	300 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF5457 JFET N-CH 25V SOT23-3 onsemi	13 839 In magazzino	1 : € 0,54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11612 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	-	1 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	7pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK932-23-TB-E JFET N-CH 50MA SMCP onsemi	6 554 In magazzino	1 : € 0,59000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12777 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	200 mV @ 100 µA	-	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMCP
MMBFJ270 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	37 546 In magazzino	1 : € 0,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13634 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-6-TB-E JFET N-CH 5V 3CP onsemi	101 865 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13993 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.5 V @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	21 476 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13993 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF a 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
2SK209-GR(TE85L,F) JFET N-CH 50V 14MA SC59 Toshiba Semiconductor and Storage	16 738 In magazzino	1 : € 0,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15468 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	14 mA @ 10 V	14 mA	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	150 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	6 638 In magazzino	1 : € 3,52000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	2 025 In magazzino	1 : € 3,76000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	5 293 In magazzino	1 : € 4,06000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 2,24210 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
JFE2140DSGR DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW-GATE- Texas Instruments	2 141 In magazzino	1 : € 5,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 2,00364 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	-	-	1.5 V @ 100 nA	17pF a 0V	-	-	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-WFDFN piazzola esposta	8-WSON (2x2)
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 onsemi	2 403 In magazzino	1 : € 9,78000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 4,30263 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N120035K3S JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 onsemi	3 708 In magazzino 1 800 Fabbrica	1 : € 31,16000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UF3N120007K4S JFET N-CH 1200V 120A TO247-4 onsemi	324 In magazzino	1 : € 54,59000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1.2 kV	300 µA @ 1.2 kV	120 A	-	8110pF a 800V	11 mOhms	789 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobilistico	-	Foro passante	TO-247-4	TO-247-4
SMMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	4 798 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09886 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
SMMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	3 905 In magazzino 3 000 Fabbrica	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09886 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J111 JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	5 277 In magazzino	1 : € 0,39000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)	TO-92-3
MMBF4393LT3G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	17 402 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,06965 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BSR58 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	1 864 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08207 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	-	60 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ202 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	9 928 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08297 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	900 µA @ 20 V	-	800 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	40 048 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,09112 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ113 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	9 092 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08566 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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