Rohm Semiconductor's SiC Trench MOSFETs

SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor

The purpose of this training module is to provide a brief overview of ROHM’s 3rd generation SiC Trench MOSFETs and their advantages.

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTensione drain/source (Vdss)Quantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM1700 V0 - Immediatamente$7.79Vedi i dettagli
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N650 V282 - Immediatamente$9.05Vedi i dettagli
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N650 V982 - Immediatamente$13.96Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2471200 V0 - Immediatamente$7.03Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLGC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N1200 V390 - Immediatamente$20.33Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - Immediatamente$12.42Vedi i dettagli
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N650 V880 - Immediatamente$27.64Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLGC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N1200 V837 - Immediatamente$35.69Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N650 V1150 - Immediatamente$45.04Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N1200 V253 - Immediatamente$69.98Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO2681700 V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2681700 V0 - Immediatamente$2.97Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2471200 V0 - Immediatamente$4.47Vedi i dettagli
SICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB650 V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE1200 V0 - Immediatamente$542.12Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLGC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N1200 V0 - Immediatamente$10.05Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2471200 V0 - Immediatamente$3.54Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE1200 V4 - Immediatamente$958.08Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE1200 V0 - Immediatamente$1,019.88Vedi i dettagli
PTM Published on: 2017-01-05
PTM Updated on: 2019-09-27

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Data di pubblicazione: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Data di pubblicazione: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Data di pubblicazione: 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SiC al carburo di silicio di 4ª generazione I MOSFET al carburo di silicio di 4ª generazione di ROHM sono progettati per offrire efficienza e prestazioni senza precedenti nelle applicazioni più esigenti.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
Diodi a barriera di Schottky SiC I diodi a barriera di Schottky SiC di ROHM sono qualificati AEC-Q101 per uso automotive.

Related Articles and Blogs

Come ridurre le perdite, migliorare l'efficienza ed estendere l'intervallo di temperatura nelle applicazioni ad alta potenza I progettisti possono utilizzare i MOSFET SiC di 4ª generazione per migliorare notevolmente l'efficienza, abbassare il costo e ridurre le dimensioni dei circuiti di controllo ad alta tensione e ad alta potenza.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Power Module SiC modules are ideally suited to replace higher current rating IGBT modules.
Termini e condizioni Informativa sulla privacy Impostazioni dei cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Tutti i diritti riservati.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member