SCT2160KEC è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


Rohm Semiconductor
In magazzino: 140
Prezzo unitario : € 12,38000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Rohm Semiconductor
In magazzino: 374
Prezzo unitario : € 16,66000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 290
Prezzo unitario : € 12,37000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 20,25000
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Simile


IXYS
In magazzino: 217
Prezzo unitario : € 23,86000
Scheda tecnica

Simile


Microchip Technology
In magazzino: 121
Prezzo unitario : € 7,51000
Scheda tecnica
R6020ENZ4C13
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

Codice DigiKey
SCT2160KEC-ND
Produttore
Codice produttore
SCT2160KEC
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
208mohm a 7A, 18V
Vgs(th) max a Id
4V a 2,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1200 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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