SCT2xxxNYTB
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SCT2xxxNYTB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

Codice DigiKey
SCT2H12NYTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT2H12NYTB
Descrizione
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-268
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCT2H12NYTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5ohm a 1,1A, 18V
Vgs(th) max a Id
4V a 410µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
184 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
44W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-268
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,23000€ 6,23
10€ 4,20900€ 42,09
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,60060