SCT2750NYTB Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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SCT2750NYTB
Codice DigiKey	SCT2750NYTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SCT2750NYTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT2750NYTB
Descrizione	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 5,9 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale TO-268
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	975mohm a 1,7A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 630µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	275 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-268
Contenitore/involucro	TO-268-3, D3PAK (2 conduttori+linguetta), TO-268AA
Codice componente base	SCT2750