Name: BSM600C12P3G201
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM600C12P3G201-ND
Price: 1264.4568 EUR
Availability: OutOfStock

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BSM600C12P3G201
Codice DigiKey	BSM600C12P3G201-ND
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BSM600C12P3G201
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSM600C12P3G201 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	600 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	5,6V a 182mA
Vgs (max)	+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	28000 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2460W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	Modulo
Contenitore/involucro	Modulo
Codice componente base	BSM600

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