RGCL80TK60GC11
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RGCL80TK60GC11
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

Codice DigiKey
SCT2H12NZGC11-ND
Produttore
Codice produttore
SCT2H12NZGC11
Descrizione
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-3PFM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5ohm a 1,1A, 18V
Vgs(th) max a Id
4V a 900µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
184 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-3PFM
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,95000€ 5,95
30€ 3,38133€ 101,44
120€ 3,23892€ 388,67
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,25900