Name: 1EDN8511BXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1EDN8511BXUSA1TR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

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1EDN8511BXUSA1
Codice DigiKey	1EDN8511BXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1EDN8511BXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1EDN8511BXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	1EDN8511BXUSA1
Descrizione	IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Lato inferiore Driver gate IC Invertente, Non invertente PG-SOT23-6-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	1EDN8511BXUSA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver	Tensione logica - VIL, VIH 1,2V, 1,9V
Produttore Infineon Technologies	Corrente - Uscita di picco (source, drain) 4A, 8A
Serie EiceDRIVER™	Tipo di ingresso Invertente, Non invertente
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tensione high-side - Max (bootstrap) 200 V
Stato componente Attivo	Tempo di salita/discesa (tip.) 6,5ns, 4,5ns
Programmabile da DigiKey Non verificato	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione comandata Lato inferiore	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tipo di canale Singolo	Contenitore/involucro SOT-23-6
N. di driver 1	Contenitore del fornitore PG-SOT23-6-2
Tipo di gate GaN FET, MOSFET (canale N)	Codice componente base 1EDN8511
Tensione - Alimentazione 8 ~ 20V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)