


IPN95R3K7P7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN95R3K7P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN95R3K7P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN95R3K7P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 950 V 2 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN95R3K7P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 950 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,7ohm a 800mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 196 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,66100 | € 6,61 |
| 100 | € 0,43500 | € 43,50 |
| 500 | € 0,33806 | € 169,03 |
| 1 000 | € 0,30683 | € 306,83 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,25915 | € 777,45 |
| 6 000 | € 0,23978 | € 1 438,68 |
| 9 000 | € 0,22992 | € 2 069,28 |
| 15 000 | € 0,22823 | € 3 423,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |


















