
IPT60R080G7XTMA1 | |
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Codice DigiKey | IPT60R080G7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT60R080G7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPT60R080G7XTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 29 A (Tc) 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPT60R080G7XTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 80mohm a 9,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 490µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1640 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,65000 | € 5,65 |
| 10 | € 3,80300 | € 38,03 |
| 100 | € 2,77520 | € 277,52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 2,26732 | € 4 534,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,65000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,89300 |















