Gate driver

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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Programmabile da DigiKey
Configurazione comandata
Tipo di canale
N. di driver
Tipo di gate
Tensione - Alimentazione
Tensione logica - VIL, VIH
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
Tipo di ingresso
Tensione high-side - Max (bootstrap)
Tempo di salita/discesa (tip.)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
8-DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
40 473
In magazzino
348 000
Fabbrica
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,14000
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Sincrono
2
MOSFET (canale N)
4,5 ~ 5,5V
0,6V, 3,3V
-
Non invertente
40 V
16ns, 11ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-VFDFN piazzola esposta
8-DFN (2x2)
PG-SOT23-6-2
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
4 910
In magazzino
1 : € 0,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,23042
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
GaN FET, MOSFET (canale N)
8 ~ 20V
1,2V, 1,9V
4A, 8A
Invertente, Non invertente
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
PG-SOT23-6-2
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
2 903
In magazzino
1 : € 0,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,23054
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (max)
-
10A, 10A
Non invertente
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-26
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
43 442
In magazzino
1 : € 0,58000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,25538
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Non invertente
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
3 780
In magazzino
1 : € 0,59000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,26570
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
High-side, low-side
Singolo
1
GaN FET, MOSFET (canale N)
4.5 ~ 20V
-
4A, 8A
Non invertente
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
PG-SOT23-6
SC-74A, SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
2 339
In magazzino
1 : € 0,59000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,26534
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N)
10,2 ~ 20V
0,8V, 2,5V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
14 894
In magazzino
1 : € 0,60000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,27550
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato superiore
Singolo
1
MOSFET (canale N)
10 ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Non invertente
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
PG-SOT23-6
TSOT 25 Top View
IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5
Diodes Incorporated
1 965
In magazzino
1 : € 0,60000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,27514
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,9A, 1,8A
Invertente, Non invertente
-
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
TSOT-25
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 916
In magazzino
1 : € 0,63000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,47594
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N, canale P)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 422
In magazzino
1 : € 0,63000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,47594
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N, canale P)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
10 347
In magazzino
1 : € 0,63000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,28722
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
High-side, low-side
Trifase
3
MOSFET (canale N)
5 ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Invertente, Non invertente
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
24-VFQFN piazzola esposta
24-VQFN (4x4)
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
20 307
In magazzino
1 : € 0,64000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,50527
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N, canale P)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Non invertente
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
9 248
In magazzino
1 : € 0,64000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,48445
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N, canale P)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Invertente
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
33 357
In magazzino
1 : € 0,71000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,32582
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
High-side, low-side
Trifase
3
MOSFET (canale N)
5 ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Invertente, Non invertente
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
24-VFQFN piazzola esposta
24-VQFN (4x4)
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
IXYS Integrated Circuits Division
11 803
In magazzino
48 000
Fabbrica
1 : € 0,71000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,33208
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
1
MOSFET (canale N, canale P)
4.5 ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
19 633
In magazzino
1 : € 0,73000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,34027
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Invertente, Non invertente
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
57 291
In magazzino
1 : € 0,74000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,34013
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Indipendente
2
MOSFET (canale N)
8 ~ 14V
0,8V, 2,2V
1A, 1A
Non invertente
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
IRS25411STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
22 746
In magazzino
1 : € 0,74000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,34526
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Sincrono
2
MOSFET (canale N)
10 ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Non invertente
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
11 738
In magazzino
1 : € 0,75000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,33549
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Invertente, Non invertente
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
19 907
In magazzino
1 : € 0,82000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,37351
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Invertente, Non invertente
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
4-TQFN (1.2x1.2)
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
16 341
In magazzino
1 : € 0,86000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,67992
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato superiore
Singolo
1
MOSFET (canale N)
2,7 ~ 9V
0,8V, 3V
-
Non invertente
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
4-UDFN piazzola esposta, 4-TMLF®
4-TQFN (1,2x1,2)
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
7 245
In magazzino
1 : € 0,86000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 0,46076
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Invertente, Non invertente
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
4 350
In magazzino
376 000
Fabbrica
1 : € 0,92000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 0,44131
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET (canale N, canale P)
4,5 ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
PG-WSON-8-1
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Infineon Technologies
7 831
In magazzino
1 : € 0,93000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,43583
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
GaN FET, MOSFET (canale N)
4.5 ~ 20V
-
5A, 5A
Non invertente
20 V
5,3ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-WDFN piazzola esposta
PG-WSON-8-1
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
4 486
In magazzino
1 : € 0,93000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 0,49792
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET (canale N)
4,5 ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Invertente, Non invertente
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
Visualizzati
di 6 297

Gate driver


I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.