VideoLibrary

How to GaN - 04: GaN Design Basics – Gate Drive

How to drive a GaN transistor to achieve maximum performance.

6/12/2020 7:56:08 PM

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13595 - Immediatamente$2.30Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12030 - Immediatamente$2.76Vedi i dettagli
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA636 - Immediatamente$2.21Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE16157 - Immediatamente$3.75Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE563 - Immediatamente$9.29Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE1397 - Immediatamente$8.94Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIEEPC2103MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE4072 - Immediatamente$9.29Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE2653 - Immediatamente$8.94Vedi i dettagli

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Data di pubblicazione: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Data di pubblicazione: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Data di pubblicazione: 2023-08-31

Related Product Highlight

Semiponte transistor eGaN 30 V EPC2111 Il semiponte eGaN® EPC2111 di EPC consente un'efficienza del sistema da 12 V a 1,8 V di oltre l'85% a 5 MHz a 14 A di uscita, riducendo i costi per i sistemi di conversione di potenza dell'utente finale.
Semiponte EPC2106 Il semiponte EPC2106 ha una conversione di potenza ad alta efficienza in un ingombro ridotto.
Semiconduttori GaN I semiconduttori GaN di EPC sono progettati specificamente per le applicazioni di trasferimento di potenza wireless risonanti, consentendo la rapida progettazione di sistemi di utilizzo finale altamente efficienti.

Related Articles and Blogs

I semiconduttori ad ampio bandgap favoriscono l'efficienza dei data center Poiché i data center hanno un enorme fabbisogno energetico, sono necessarie soluzioni di alimentazione in grado di ridurre le perdite di energia, aumentare l'efficienza e migliorare il controllo termico.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Prodotti e risorse GaN per l'alimentazione disponibili su DigiKey GaN si sta facendo prepotentemente strada nella progettazione di alimentazione. Questo blog offre approfondimenti e informazioni sui alcuni prodotti e risorse GaN attualmente disponibili su DigiKey.