EPC2108 EPC | Prodotti a semiconduttore discreti

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EPC2108
Codice DigiKey	917-1169-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1169-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2108
Descrizione	MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione	3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V, 100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7A, 500mA
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 2,5A, 5V, 3,3ohm a 2,5A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	22pF a 30V, 7pF a 30V
Potenza - Max	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	9-VFBGA
Contenitore del fornitore	9-BGA (1,35x1,35)
Codice componente base	EPC210