MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
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MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2110

Codice DigiKey
917-1152-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1152-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1152-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2110
Descrizione
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 4A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 700µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,8nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
80pF a 60V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Contenitore/involucro
Stampo
Configurazione
Sorgente comune (doppia)a 2 canali N
Contenitore del fornitore
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
120V
Codice componente base
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4A
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 10 749
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,91000€ 2,91
10€ 1,89200€ 18,92
100€ 1,31230€ 131,23
500€ 1,06464€ 532,32
1 000€ 1,04028€ 1 040,28
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,89898€ 2 247,45
5 000€ 0,84990€ 4 249,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,55020