MOSFET - Array 100V 23A A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 100V 23A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2104

Codice DigiKey
917-1184-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1184-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1184-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2104
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 23A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
6,3mohm a 20A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 5,5mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
800pF a 50V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
23A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 1 880
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,41000€ 9,41
10€ 6,48900€ 64,89
100€ 5,00630€ 500,63
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 4,13570€ 2 067,85
1 000€ 4,09014€ 4 090,14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,48020