MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2101

Codice DigiKey
917-1181-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1181-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1181-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2101
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 20A, 5V, 2,7mohm a 20A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 3mA, 2,5V a 12mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,7nC a 5V, 12nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
300pF a 30V, 1200pF a 30V
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,5 A, 38 A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 521
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Questo prodotto non è più in produzione e non sarà nuovamente disponibile a esaurimento scorte.
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,78000€ 9,78
10€ 6,75800€ 67,58
100€ 5,05170€ 505,17
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 4,30262€ 2 151,31
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,78000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,93160