eGaN Series
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eGaN Series
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2101

Codice DigiKey
917-1181-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1181-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1181-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2101
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,5 A, 38 A
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 20A, 5V, 2,7mohm a 20A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 3mA, 2,5V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,7nC a 5V, 12nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
300pF a 30V, 1200pF a 30V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Stampo
Contenitore del fornitore
Stampo
Codice componente base
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In magazzino: 563
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Data ultima possibilità d'acquisto: 19.02.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,29000€ 9,29
10€ 6,41900€ 64,19
100€ 5,35190€ 535,19
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 4,37248€ 2 186,24
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,33380