MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2106

Codice DigiKey
917-1110-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1110-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1110-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2106
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2106 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
70mohm a 2A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 600µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,73nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
75pF a 50V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 17 457
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,41000€ 2,41
10€ 1,55800€ 15,58
100€ 1,06880€ 106,88
500€ 0,85980€ 429,90
1 000€ 0,80622€ 806,22
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,71991€ 1 799,78
5 000€ 0,67501€ 3 375,05
7 500€ 0,65867€ 4 940,02
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,94020