MOSFET Array
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MOSFET Array
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2111

Codice DigiKey
917-1174-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1174-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1174-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2111
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2111 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 15A, 5V, 8mohm a 15A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 2mA, 2,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,2nC a 5V, 5,8nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
230pF a 15V, 595pF a 15V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Stampo
Contenitore del fornitore
Stampo
Codice componente base
Product Questions and Answers

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Data ultima possibilità d'acquisto: 19.02.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,75000€ 3,75
10€ 2,47100€ 24,71
100€ 1,74560€ 174,56
500€ 1,59896€ 799,48
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,30635€ 3 265,87
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,57500