MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2111

Codice DigiKey
917-1174-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1174-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1174-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2111
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2111 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 2mA, 2,5V a 5mA
Produttore
EPC
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,2nC a 5V, 5,8nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
230pF a 15V, 595pF a 15V
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Ta)
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 15A, 5V, 8mohm a 15A, 5V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,94000€ 3,94
10€ 2,60200€ 26,02
100€ 1,83800€ 183,80
500€ 1,51196€ 755,98
1 000€ 1,40726€ 1 407,26
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,29405€ 3 235,12
5 000€ 1,28547€ 6 427,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,94000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,80680