Name: DMG6601LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6601LVT-7DITR-ND
Price: 0.4392 EUR
Availability: InStock

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DMG6601LVT-7
Codice DigiKey	DMG6601LVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG6601LVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG6601LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG6601LVT-7
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,8 A, 2,5 A 850mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG6601LVT-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A, 2,5 A
RDSon (max) a Id, Vgs	55mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12,3nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	422pF a 15V
Potenza - Max	850mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Codice componente base	DMG6601

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Nastrato in bobina (TR)