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SI3585CDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3585CDV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 3,9 A, 2,1 A 1,4W, 1,3W A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3585CDV-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 2,5A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,8nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 150pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,4W, 1,3W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A, 2,1 A | Codice componente base |
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In magazzino: 157 668
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,74000 | € 0,74 |
| 10 | € 0,45900 | € 4,59 |
| 100 | € 0,29650 | € 29,65 |
| 500 | € 0,22664 | € 113,32 |
| 1 000 | € 0,20409 | € 204,09 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,17542 | € 526,26 |
| 6 000 | € 0,16098 | € 965,88 |
| 9 000 | € 0,15363 | € 1 382,67 |
| 15 000 | € 0,14536 | € 2 180,40 |
| 21 000 | € 0,14046 | € 2 949,66 |
| 30 000 | € 0,13571 | € 4 071,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,90280 |
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