MOSFET - Array 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW A montaggio superficiale 6-TSOP
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NTGD4167CT1G

Codice DigiKey
NTGD4167CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTGD4167CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTGD4167CT1G
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTGD4167CT1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,6 A, 1,9 A
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 2,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
295pF a 15V
Potenza - Max
900mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Codice componente base
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In magazzino: 1 140 306
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,82000€ 0,82
10€ 0,51000€ 5,10
100€ 0,33260€ 33,26
500€ 0,25584€ 127,92
1 000€ 0,23111€ 231,11
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,19969€ 599,07
6 000€ 0,18386€ 1 103,16
9 000€ 0,17580€ 1 582,20
15 000€ 0,16674€ 2 501,10
21 000€ 0,16147€ 3 390,87
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,00040