Name: SSM6L56FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6L56FELMTR-ND
Price: 0.3416 EUR
Availability: InStock

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SSM6L56FE,LM
Codice DigiKey	264-SSM6L56FELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6L56FELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6L56FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6L56FE,LM
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6L56FE,LM Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Gate livello logico, comando 1,5V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	55pF a 10V, 100pF a 10V
Potenza - Max	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	ES6
Codice componente base	SSM6L56

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Nastrato in bobina (TR)