MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26
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DMG6602SVT-7

Codice DigiKey
DMG6602SVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
DMG6602SVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
DMG6602SVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
DMG6602SVT-7
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Produttore
Diodes Incorporated
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13nC a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400pF a 15V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Potenza - Max
840mW
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Gate livello logico, comando 4,5V
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4 A, 2,8 A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 3,1 A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 23 810
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Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima.
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,43000€ 0,43
10€ 0,26600€ 2,66
100€ 0,16830€ 16,83
500€ 0,12608€ 63,04
1 000€ 0,11242€ 112,42
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,09504€ 285,12
6 000€ 0,08628€ 517,68
9 000€ 0,08182€ 736,38
15 000€ 0,07679€ 1 151,85
21 000€ 0,07382€ 1 550,22
30 000€ 0,07093€ 2 127,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,52460