VideoLibrary

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

7/21/2023 3:29:16 PM

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Immediatamente$18.90Vedi i dettagli
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET362 - Immediatamente$18.90Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET545 - Immediatamente$12.37Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88623 - Immediatamente$12.37Vedi i dettagli
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET444 - Immediatamente$9.12Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3390 - Immediatamente$16.06Vedi i dettagli
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET28 - Immediatamente$17.23Vedi i dettagli
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-30 - Immediatamente$8.72Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Immediatamente$19.88Vedi i dettagli
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-2201363 - Immediatamente$3.92Vedi i dettagli
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET263 - Immediatamente$12.31Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1119 - Immediatamente$1.74Vedi i dettagli
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN2366 - Immediatamente$4.33Vedi i dettagli
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Immediatamente$4.99Vedi i dettagli
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Immediatamente$10.05Vedi i dettagli
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Immediatamente$1,263.90Vedi i dettagli
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli

Related Videos

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Data di pubblicazione: 2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Data di pubblicazione: 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Data di pubblicazione: 2023-05-17

Related Product Highlight

Schede e kit di valutazione SuperGaN® Le schede e i kit di valutazione SuperGaN® di Transphorm offrono una piattaforma facile da usare per studiare i vantaggi del GaN con varie topologie.
FET GaN SuperGaN® di 35 mΩ TP65H035G4WS Il FET SuperGaN® di Transphorm offre alta affidabilità, alta efficienza e conversione di potenza ad alta tensione in un dispositivo qualificato JEDEC facile da pilotare.
Scheda di valutazione PFC GaN totem pole a 2,5 kW TDTTP2500B066B-KIT La scheda di valutazione da PFC GaN totem pole a 2,5 kW TDTTP2500B066B-KIT di Transphorm è adatta per applicazioni quali alimentatori per data center.

Related Articles and Blogs

I semiconduttori ad ampio bandgap favoriscono l'efficienza dei data center Poiché i data center hanno un enorme fabbisogno energetico, sono necessarie soluzioni di alimentazione in grado di ridurre le perdite di energia, aumentare l'efficienza e migliorare il controllo termico.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Progettare una correzione più efficace del fattore di potenza mediante i semiconduttori con ampia banda proibita e il controllo digitale Utilizzare il controllo digitale e i semiconduttori di potenza con ampia banda proibita per progettare circuiti di correzione del fattore di potenza che soddisfino efficacemente le normative vigenti.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.