TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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TP65H035G4WSQA
Codice DigiKey	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H035G4WSQA
Descrizione	650 V 46.5 GAN FET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	47,2A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	41 mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,8V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1500 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	187W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 17,38000	€ 17,38
30	€ 10,92667	€ 327,80

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