Name: TP65H070LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LSG-TR-ND
Price: 16.0308 EUR
Availability: InStock

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TP65H070LSG-TR
Codice DigiKey	1707-TP65H070LSG-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H070LSG-CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H070LSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H070LSG-TR
Descrizione	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 25 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 16A, 10V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) max a Id 4,8V a 700µA
Serie TP65H070L	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore del fornitore 3-PQFN (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 3-PowerDFN