TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET singoli

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TP90H050WS
Codice DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP90H050WS
Descrizione	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,4V a 700µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17.5 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 980 pF @ 600 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 119W (Tc)
Tecnologia GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-247-3
RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 22A, 10V	Codice componente base TP90H050

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