
TP65H150G4LSG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1707-TP65H150G4LSG-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | TP65H150G4LSG |
Descrizione | GAN FET N-CH 650V PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TP65H150G4LSG Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,8V a 500µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 598 pF @ 400 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 3-PQFN (8x8) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 8,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TP65H150G4LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | 376 | 1707-TP65H150G4LSG-TRCT-ND | € 5,30000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,30000 | € 4,30 |
| 10 | € 3,85900 | € 38,59 |
| 100 | € 3,16210 | € 316,21 |
| 500 | € 2,69188 | € 1 345,94 |
| 1 000 | € 2,27025 | € 2 270,25 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,91228 | € 5 736,84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,24600 |


