Canale N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (5x6)
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TP65H480G4JSG-TR

Codice DigiKey
1707-TP65H480G4JSG-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1707-TP65H480G4JSG-CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1707-TP65H480G4JSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
TP65H480G4JSG-TR
Descrizione
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TP65H480G4JSG-TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
8V
RDSon (max) a Id, Vgs
560mohm a 3,4A, 8V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (max)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
760 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
13,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
3-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
3-PowerTDFN
Codice componente base
TP65H480
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In magazzino: 1 119
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,74000€ 1,74
10€ 1,11200€ 11,12
100€ 0,75190€ 75,19
500€ 0,59762€ 298,81
1 000€ 0,56336€ 563,36
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 000€ 0,47118€ 1 884,72
8 000€ 0,46026€ 3 682,08
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,12280