VideoLibrary

Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives

Watch the on-demand webinar to learn how to harness the power of enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs and ICs for motor drives.

12/10/2020 2:13:08 PM

FETs-MOSFETs - Arrays

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13457 - Immediatamente$2.41Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE10749 - Immediatamente$2.91Vedi i dettagli
MOSFET 3N-CH 100V 9BGAEPC2107MOSFET 3N-CH 100V 9BGA4953 - Immediatamente$2.58Vedi i dettagli
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA459 - Immediatamente$2.33Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE521 - Immediatamente$9.78Vedi i dettagli

FETs-MOSFETs - Single

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
GANFET N-CH 40V 4A DIEEPC8004GANFET N-CH 40V 4A DIE9166 - Immediatamente$3.90Vedi i dettagli
GANFET N-CH 65V 4A DIEEPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE8953 - Immediatamente$4.19Vedi i dettagli
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE52044 - Immediatamente$5.43Vedi i dettagli
GANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE91238 - Immediatamente$3.09Vedi i dettagli
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE13808 - Immediatamente$2.80Vedi i dettagli

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Data di pubblicazione: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Data di pubblicazione: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Data di pubblicazione: 2023-08-31

Related Product Highlight

Scheda dimostrativa EPC91116 La scheda dimostrativa EPC91116 di EPC è dotata di un generatore di impulsi stretti opzionale per semplificare l'utilizzo con i tipici generatori di impulsi e funzioni.
Scheda dimostrativa EPC9149 La scheda dimostrativa EPC9149 di EPC è un convertitore LLC ingresso a 48 V e uscita a 12 V da 1 kW che funziona come trasformatore c.c. con un rapporto di conversione fisso di 4:1.
Scheda dimostrativa EPC9145KIT La scheda dimostrativa EPC9145KIT di EPC è adatta per applicazioni di biciclette elettriche, eMotion, droni e motori di robot.

Related Articles and Blogs

Webinar – Massima efficienza e potenza: GaN In questo webinar viene presentata una serie di progetti di riferimento congiunti basati sul GaN e caratterizzati da una potenza in uscita, un'efficienza termica e una riduzione dello spazio su scheda senza pari.
I semiconduttori ad ampio bandgap favoriscono l'efficienza dei data center Poiché i data center hanno un enorme fabbisogno energetico, sono necessarie soluzioni di alimentazione in grado di ridurre le perdite di energia, aumentare l'efficienza e migliorare il controllo termico.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
eGaN® FET Reliability Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.
Termini e condizioni Informativa sulla privacy Impostazioni dei cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Tutti i diritti riservati.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member