MOSFET - Array 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
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MOSFET - Array 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives

EPC2107

Codice DigiKey
917-1168-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1168-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1168-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2107
Descrizione
MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2107 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
320mohm a 2A, 5V, 3,3ohm a 2A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
16pF a 50V, 7pF a 50V
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono)
Contenitore/involucro
9-VFBGA
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Contenitore del fornitore
9-BGA (1,35x1,35)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7A, 500mA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 4 976
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,58000€ 2,58
10€ 1,67100€ 16,71
100€ 1,15120€ 115,12
500€ 0,92884€ 464,42
1 000€ 0,85739€ 857,39
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,78010€ 1 950,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,58000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,14760