Name: XPQ1R00AQB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND
Price: 6.4172 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 100 V 300 A (Ta) 750W (Tc) A montaggio superficiale L-TOGL™

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XPQ1R00AQB,LXHQ
Codice DigiKey	264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPQ1R00AQB,LXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPQ1R00AQB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPQ1R00AQB,LXHQ
Descrizione	100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 300 A (Ta) 750W (Tc) A montaggio superficiale L-TOGL™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 1,5mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 269 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21450 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore L-TOGL™
RDSon (max) a Id, Vgs 1,03mohm a 150A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN