Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.259 EUR
Availability: InStock

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SIJK5100E-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIJK5100E-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK®10 x 12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,4mohm a 80A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11480 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 17W (Ta), 536W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 74A (Ta), 417A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK®10 x 12
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN