Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.6352 EUR
Availability: InStock

Canale N 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale S-TOGL™

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XPJR6604PB,LXHQ
Codice DigiKey	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPJR6604PB,LXHQ
Descrizione	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale S-TOGL™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	XPJR6604PB,LXHQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11380 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore S-TOGL™
RDSon (max) a Id, Vgs 0,66mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 5-PowerSFN