Name: XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 2.0984 EUR
Availability: InStock

Canale N 40 V 160 A (Ta) 223W (Tc) A montaggio superficiale S-TOGL™

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

XPJ1R004PB,LXHQ
Codice DigiKey	264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPJ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPJ1R004PB,LXHQ
Descrizione	40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 160 A (Ta) 223W (Tc) A montaggio superficiale S-TOGL™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	XPJ1R004PB,LXHQ Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6890 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 223W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 160 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore S-TOGL™
RDSon (max) a Id, Vgs 1mohm a 80A, 10V	Contenitore/involucro 5-PowerSFN
Vgs(th) max a Id 3V a 500µA