Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 8.5278 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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IAUTN15S6N025ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUTN15S6N025ATMA1
Descrizione	MOSFET_(120V 300V)
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUTN15S6N025ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	245A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,5mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9900 pF @ 75 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-1
Contenitore/involucro	8-PowerSFN

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