Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 7.8934 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IAUTN15S6N025ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUTN15S6N025ATMA1
Descrizione	MOSFET_(120V 300V)
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUTN15S6N025ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 270µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 139 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9900 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 245A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 3,46324	€ 6 926,48

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 6,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 7,89340

IAUTN15S6N025ATMA1