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BUK9214-30A,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-7177-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7177-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK9214-30A,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 63A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 63 A (Tc) 107W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 5 V |
Produttore | Vgs (max) ±15V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2317 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore DPAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 1mA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ATP202-TL-H | onsemi | 86 287 | 869-1078-2-ND | € 0,46744 | Simile |
| DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | 13 238 | DMN3016LK3-13DICT-ND | € 0,76000 | Simile |
| FDD8880 | onsemi | 1 812 | FDD8880CT-ND | € 1,09000 | Simile |
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 91 302 | IPD090N03LGATMA1CT-ND | € 1,11000 | Simile |
| IPD135N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 19 703 | IPD135N03LGATMA1CT-ND | € 0,96000 | Simile |







