
IPD30N03S4L09ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N03S4L09ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD30N03S4L09ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9mohm a 30A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 13µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1520 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,02000 | € 1,02 |
| 10 | € 0,64000 | € 6,40 |
| 100 | € 0,42100 | € 42,10 |
| 500 | € 0,32680 | € 163,40 |
| 1 000 | € 0,29647 | € 296,47 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,26361 | € 659,02 |
| 5 000 | € 0,24330 | € 1 216,50 |
| 7 500 | € 0,23295 | € 1 747,12 |
| 12 500 | € 0,22132 | € 2 766,50 |
| 17 500 | € 0,21902 | € 3 832,85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,24440 |



