Name: IPD135N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD135N03LGATMA1TR-ND
Price: 0.9394 EUR
Availability: InStock

IPD135N03LGATMA1
Codice DigiKey	IPD135N03LGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD135N03LGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD135N03LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD135N03LGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Tc) 31W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD135N03LGATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13,5mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	31W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD135

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,77000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,93940

IPD135N03LGATMA1