Canale N 30 V 50 A (Ta) 40W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK
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ATP202-TL-H

Codice DigiKey
869-1078-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
ATP202-TL-H
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 50 A (Ta) 40W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
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Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
50 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1650 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
ATPAK
Contenitore/involucro
ATPAK (2 conduttori+linguetta)
Codice componente base
ATP202
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