FDD8880 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDD8880
Codice DigiKey	FDD8880TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD8880CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD8880
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 13 A (Ta), 58 A (Tc) 55W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD8880 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1260 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta), 58 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD888
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 35A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJD55N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD55N03_L2_00001TR-ND	€ 0,16665	Simile
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	€ 0,56568	Simile
XP3N9R5AH	YAGEO XSEMI	987	5048-XP3N9R5AHCT-ND	€ 0,51000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,32980

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